%0 Journal Article
%T 砷化镓ASIC电路实用库的研究
%A 杨国洪
%A 范恒
%A 王碧娟
%A 夏冠群
%A 章洪深
%A 甘骏人
%A 姚林声
%A 凌雷
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．
%K 专用集成电路
%K 砷化镓
%K 数据库
%K 设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C700C4C6EC804A08&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=59906B3B2830C2C5&sid=796A97DD793AE4A8&eid=66973F362693F62B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3