%0 Journal Article
%T 用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
%A 陈光华
%A 张兴旺
%A 季亚英
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 以B2O3作掺杂剂，用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁移率以及载流子浓度随温度的变化关系．实验结果表明：杂质硼原子的激活能为0．078eV，室温迁移率为18cm2·V－1·s－1，远小于单晶金刚石的空穴迁移率．并根据实验结果对金刚石薄膜的导电机制、散射机制等作了分析．
%K 半导体
%K 金刚石
%K 硼
%K 掺杂
%K 18Vander
%K Pauw法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C852CE24B65C2C57&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4720E9D07E8A2290&eid=3B2BF7AC5674E8E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0