%0 Journal Article
%T 借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量
%A 王启元
%A 王俊
%A 韩秀峰
%A 邓惠芳
%A 王建华
%A 昝育德
%A 蔡田海
%A 郁元桓
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1e-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4e18cm－3）．
%K 半导体
%K 硅
%K 间隙氧含量
%K 红外吸收
%K 重掺硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7B4A4993581DCF2C&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D5970ECA7D10A7B1&eid=E543FC2C7CA75C74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2