%0 Journal Article
%T Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
%A 张伟
%A 张仕国
%A 袁骏
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．
%K 半导体
%K 硅衬底
%K 反应蒸发法
%K AIN
%K 单晶薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=73A21C589AE39066&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=6D6B4A516C7DB6EE&eid=6A9657F54F754BF6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1