%0 Journal Article
%T 超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究
%A 刘卫东
%A 李志坚
%A 刘理天
%A 田立林
%A 陈文松
%A 熊大箐
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中的GIDL效应，包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响．发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制，且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用．二维器件模拟结果指出，与SiO2栅NMOSFET相比，LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强．
%K 超薄氮氧化硅
%K GIDI效应
%K NMOSFET
%K 栅介质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9023668AFA0AF30AD&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B34BDD6A690A04C0&eid=811ACA5D3673A764&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6