%0 Journal Article
%T Breakdown Model and New Structure of SOI High Voltage Devices with Step Buried Oxide Fixed Charges<br>阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型
%A Guo Yufeng
%A Li Zhaoji
%A Zhang Bo
%A Fang Jian
%A <br>郭宇锋
%A 李肇基
%A 张波
%A 方健
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.
%K SOI
%K buried oxide fixed charge
%K breakdown voltage
%K model<br>SOI
%K 埋氧层固定电荷
%K 击穿电压
%K 模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=811FFDE1BE811B7D&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=4B35F43975EC564A&eid=19519743553AEE80&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=14&reference_num=12