%0 Journal Article
%T 光泵外腔面发射InGaAs／InP半导体激光器
%A 向望华
%A 町田进
%A 渡部仁贵
%A 山本喜久
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道了外腔面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体激光器的实验结果．利用面发射ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ半导体材料作为激活介质，采用锁模（或连续）Ｎｄ＋３：ＹＡＧ激光（波长１．３２μｍ）泵浦．平均输出功率达１８７ｍＷ，同步泵浦获得最窄脉冲宽度为６ｐｓ，输出波长１．５μｍ，利用衍射光栅对脉冲进行压缩获得１８１ｆｓ超短光脉冲．
%K 半导体激光器
%K 光泵
%K InGaAs
%K 磷化铟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=938A6480CBC9B487&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8D95DD1211171525&eid=353B961D86F026C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4