%0 Journal Article
%T 流体静压下研究电场畴的形成机制
%A 孙宝权
%A 刘振兴
%A 江德生
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs／AIAs超晶格中电场畴的形成机制．对于第一个电流类平台区域，我们观察到两种级联共振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程，而当p＞2kbar时，高场畴为Γ－X级联共振隧穿过程．对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Γ－X级联共振隧穿．
%K 电场畴
%K 流体静压
%K 半导体超晶格
%K 形成机制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4179DA730D480662&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=D8414BC1307BF1A3&eid=2E15A588990CC690&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2