%0 Journal Article
%T Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取
%A 刘诺
%A 谢孟贤
%A 石迎春
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．
%K 反向器件
%K HEMT
%K 结构参数提取
%K 器件模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=10F00D7662F81DD2&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F3549E0657848E2A&eid=BB98BB04E861B6F5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0