%0 Journal Article
%T Characterization of Ge-Si Strain-Layer Superlattice by Raman Scattering<br>用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格
%A Xu Jianguo/
%A <br>徐建国
%A 王建宝
%A 盛篪
%A 孙恒慧
%A 郑思定
%A 姚文华
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格的喇曼光谱研究表明,这类样品中各层间的应力分配取决于缓冲层组分。合金层中的Ge—Si峰峰移δω随组分x或应变ε作线性变化。对Ge_n/Si_n(n为原子层数)超晶格的喇曼光谱研究表明,在n=4的超薄层超晶格中,锗硅界面互混程度较小,并发现样品的生长温度对其质量有决定性影响。
%K Strain-layer superlattice
%K Raman scattering
%K Stress
%K Intermixing of interface<br>喇曼光谱
%K 锗硅
%K 应变层
%K 超晶格
%K 表征
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=101FF423F7DB8CED&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F7C11D7E3E8C5D3F&eid=E0FF0FB27B45F84E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5