%0 Journal Article
%T 高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数
%A 王小军
%A 庄岩
%A 王玉田
%A 庄婉如
%A 王启明
%A 黄美纯
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测，对于器件应用具有重要的意义，本文中，利用ＭＯＣＶＤ方法得到高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料，采用双晶衍射方法的弱信号收集技术，结合运动学理论模拟，得出同时包含几个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阶结构的重要参数，其检测结果与光致发光（ＰＬ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）等方法的测试结果基本一致，表明Ｘ射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法．
%K 砷化镓铟
%K 砷化镓
%K 量子阱结构
%K 参数
%K HRDCD法
%K 检测
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B0FA1D3F25925B1D&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=C5F8B8CB20F1B3D8&eid=5BC9492E1D772407&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0