%0 Journal Article
%T Model Parameters Extraction of a BSIM SOI Model Based on the Genetic Algorithm
基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取
%A Li Ruizhen
%A Han Zhengsheng
%A
李瑞贞
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2005
%I
%X 提出了一种提取BSIM SOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验,易于推广使用.对用该方法得到的SOI模型进行了模拟,并将模拟结果与1.2μm CMOS/SOI测试结果进行对比,二者吻合很好,SOI器件特有的kink效应也得到了很好的拟合.
%K genetic algorithm
%K SOI
%K parameter extraction
遗传算法
%K SOI
%K 参数提取
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=003A84893B791CB7&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=937C5AD88B71B15A&eid=BCF7BCA77FA8F9BA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=12