%0 Journal Article
%T 快速热退火硅中微缺陷分析
%A 徐立
%A 钱佩信
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。
%K 硅
%K 退火
%K 缺陷
%K 分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=871F45F989A5C4ED&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F9A6B6F259CE5121&eid=AF0641F74554D706&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1