%0 Journal Article
%T 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究
%A 黄大定
%A 姚振钰
%A 壬治璋
%A 王向明
%A 刘志凯
%A 秦复光
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
%K 硅单晶
%K 低能电子束
%K 质量分离
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C0706FA881D4FA1B&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4ECB3941871FD391&eid=D8AE57480552698F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1