%0 Journal Article
%T GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟
%A 王维航
%A 叶润涛
%A 郭妙泉
%A 余志平
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P~+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N~+P~+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区渡越时间有明显的作用。
%K GaAs器件
%K 载流子
%K 蒙特卡罗模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21AF384440C5CC59&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4A2356A1257A12EB&eid=C4490A71BEB872FA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0