%0 Journal Article
%T 强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算
%A 田人和
%A 顾永俶
%A 卢武星
%A 张荟星
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。
%K 离子注入
%K SOI结构
%K 温升效应
%K 计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E85F8C36CAB6F280&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D8B37A0210DB6B9D&eid=ABF2590617D31FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4