%0 Journal Article
%T 用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理
%A 徐立
%A 钱佩信
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了失活杂质原子在硅晶格中的定位情况,进而从这些晶格定位的实验结果出发,讨论了硅中超固溶度激活杂质的失活机理。
%K 硅
%K 固溶度
%K 激活杂质
%K 失活机理
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A8258D5FB7AAA825&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=3FC4D669D19FF0C6&eid=8143FF92EEF26F96&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4