%0 Journal Article
%T μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质
%A 郑家贵
%A 冯良桓
%A 蔡伟
%A 黄天荃
%A 蔡亚平
%A 罗昭和
%A 周心明
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=60B401A94C9709D5&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E514EE58E0E50ECF&eid=1D0FA33DA02ABACD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0