%0 Journal Article
%T 声电输运器件的沟道特性研究
%A 邹英寅
%A 凌明芳
%A 陈抗生
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.
%K 声电输运器件
%K ACT器件
%K 沟道特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=246E236119E2BA58&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=ECE8E54D6034F642&eid=B6DA1AC076E37400&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=2