%0 Journal Article
%T 硅中与钼有关能级的研究
%A 周洁
%A 卢励吾
%A 韩志勇
%A 吴汲安
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.
%K 硅
%K 钼
%K 能级
%K 能级瞬态谱
%K 电子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C64D942F965FE83C&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5D311CA918CA9A03&eid=FC0714F8D2EB605D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3