%0 Journal Article
%T 长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器
%A 史常忻
%A K.Heime
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.
%K InGaAs
%K MSM
%K 光电探测器
%K 暗电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3F6C93782201E57A&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=70081086C74F4110&eid=BDEE8BA20F4733DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=3