%0 Journal Article
%T Crystallization and Fractal Structure in Hydrogenated Amorphous Silicon Films<br>a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成
%A Lin Hongyi/
%A <br>林鸿溢
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 利用透射电子显微镜(TEM)观测a-Si:H 薄膜在不同温度下生长的分形结构。实验方法为原位动态技术。对分形结构的TEM形貌像用Sandbox方法计算了其分形维数。450℃时,形成具有类似分叉状的分形结构,分形线数d_f=1.69;800℃时,形成岛状分形结构,分形维数d_f=1.76。实验结果表明,分形结构的形成与薄膜物性的变化相联系。文中还对分形结构与a =Si:H 薄膜晶化的关系进行了讨论。
%K Fractal structure
%K Fractal dimension
%K Amorphous silicon
%K Thin film
%K Crystallization
%K Dynamic method<br>分形结构
%K 非晶态硅
%K 薄膜
%K 晶化
%K 动态方法
%K 分形维数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3535651A1AF74AD1&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=389DA78D878702A9&eid=E57FE519484CFB70&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0