%0 Journal Article
%T Research on Electronic Band Structures of Superlattices(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110) with m=1-20<br>超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构研究
%A Xu Zhizhong/Surface Physics Laboratory
%A Fudan University
%A <br>徐至中
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 在紧束缚的框架下,利用重整化方法计算了超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110)(m=1-20)的电子能带结构。计算结果表明,对不同m的超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_m(110) 都具有间接能隙结构,而且间接导带底的电子状态具有明显的二维特性。单层超晶格(Ge_2)_1/(GaAs)_1(110)具有非常小的间接和直接禁带宽度。当GaAs层的层数m逐渐增加时,导带的电子状态逐渐由三维特性向二维特性过渡,但是这一过渡对布里渊区内的各点,情况都各不相同。超晶格导带底的横向色散关系当m≥10以后,基本上不再随m的增加而改变。
%K Carvier Confinement Effect
%K Folding of Brillouin Zone
%K Renormalization Technique
%K Superlattice<br>Ge／GaAs
%K 电子能带结构
%K 禁闭效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B386B0A18766F38A094D8B0297BC754&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=94C357A881DFC066&sid=892C6E385D640C1E&eid=717CC18E05F2AFA0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3