%0 Journal Article
%T Study on Al0.98Ga0.02As Wet Oxidation<br>Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律
%A Dong Limin
%A Guo Xia
%A Qu Hongwei
%A Du Jinyu
%A Zou Deshu
%A Lian Peng
%A Deng Jun
%A Xu Zuntu
%A and Shen Guangdi
%A <br>董立闽
%A 郭霞
%A 渠红伟
%A 杜金玉
%A 邹德恕
%A 廉鹏
%A 邓军
%A 徐遵图
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性．
%K VCSEL
%K AlGaAs<br>湿法氧化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=25C7BB876C7B2EF3&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2BA123C6EB9D54C2&eid=BC084ACE66B62CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=8