%0 Journal Article
%T 几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究
%A 刘兴权
%A 陆卫
%A 陈效双
%A 乔怡敏
%A 史国良
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E0BB8FF76810E6E5&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=6425DAE0271BB751&eid=F1A8654ADB4E656E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0