%0 Journal Article
%T 应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构
%A 黄和鸾
%A 张国英
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。
%K 化合物半导体
%K 超晶格
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE380BA3EDECAB3D161D&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=396DD691E964F390&eid=238BD7580EFCC5AE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1