%0 Journal Article
%T Co/Ti/Si三元固相反应形成自对准TiN/CoSi_2复合薄膜
%A 刘平
%A 李炳宗
%A 顾志光
%A 孙臻
%A 黄维宁
%A 姜国宝
%A 卢煊
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行热处理,结果表明,样品薄层电阻及薄膜结构随热处理温度的升高发生显著变化。原来处于样品表面的Co穿过Ti膜与Si发生反应在薄膜内部形成钴硅化合物,在薄膜表面Ti与气氛中的N结合形成TiN。实验在有SiO_2图形的Si片上溅射Co/Ti,通过两步退火和选择腐蚀可在硅区域表面获得线条整齐的自对准TiN/CoSi_2复合薄膜。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D644D3F28CE30617845DBCF318AB553E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E57FE519484CFB70&eid=BEE722AB5028E81F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0