%0 Journal Article
%T 纳米硅薄膜结构分析
%A 何宇亮
%A 殷晨钟
%A 程光煦
%A 王路春
%A 李齐
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.
%K 薄膜
%K 纳米硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A282551FC6BDDC5B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=21A4BC96BDC43D33&eid=128B7AEF80A42C95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=6