%0 Journal Article
%T 埋入GaAs/AlAs周期反射层提高反射式负电子亲和势阴极效率的研究
%A 徐宏伟
%A 王鼎盛
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文提出了在高掺杂反射式负电子亲和势 GaAs光阴极材料的活性层下埋入 GaAs/AlAs周期反射层,提高光的利用率,同时在界面附近引入电子势垒,提高光电子发射效率.文中对周期反射层的反射性能进行了设计和计算,并计算了埋入GaAs/AlAs周期反射层后的光电子发射效率.讨论了埋入 GaAs/AlAs周期反射层后最佳活性层厚度的选取-指出了对于扩散长度较短的材料,通过埋入周期反射层,能用较薄的活性层达到甚至超过无限厚活性层材料的极限效率.最后对光电发射实验的初步结果进行了讨论.
%K 阴极
%K 电子亲和势
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C7A075D4FB9E7FB5&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=DEE640F0CDC9D495&eid=6D25DD85174CF6DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1