%0 Journal Article
%T 分子束外延中硅衬底热应力产生缺陷的研究
%A 盛篪
%A 樊永良
%A 俞鸣人
%A 张翔九
%A 孙恒慧
%A 段晓峰
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着高密度的位错网络,在高的温度梯度区有晶粒间界及多晶存在,并伴有扭曲和不平整,在样品中央部份生长状态较好的锗硅合金层超晶格有部份应变会弛豫而转化为失配位错,这严重影响锗硅超晶格的质量.采用新结构的石英样品座改善了样品温度均匀性,并消除外加应力的影响,己可生长出高质量的锗硅超晶格.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A7F86EAFCDFABED0&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8DDBA6455F2E3ECF&eid=06DAE5E1DF7D0B6A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0