%0 Journal Article
%T TiSi_2/n~+poly-Si复合结构热处理对磷再分布及RIE的影响
%A 徐秋霞
%A 周锁京
%A 赵玉印
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,提出了抑制高掺杂多晶硅中磷外扩散的方法和微图形成形应在退火前完成的建议.研制成的沟道长度为 0.6 μm的 TiSi_2polycide结构 LDD NMOSFET’S性能优良.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D2C2089B8815BC20&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=762CFFBBDED11937&eid=9409F3EB075DCD5B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0