%0 Journal Article
%T 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究
%A 陈维德
%A 金高龙
%A 崔玉德
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.
%K 多晶硅
%K 掺杂
%K 多层结构
%K 热处理
%K 真空
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212A180B9DCFB73AF2C&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=27A3D4EE1F52A91C&eid=F20A770D14436F7C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1