%0 Journal Article
%T Low Turn-on Voltage of InGaP/GaAsSb/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor<br>低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管
%A Zheng Liping
%A Yan Beiping
%A Sun Haifeng
%A Liu Xinyu
%A He Zhijing
%A Wu Dexin
%A <br>郑丽萍
%A 严北平
%A 孙海锋
%A 刘新宇
%A 和致经
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.
%K turn-on voltage
%K GaAsSb
%K double heterojunction bipolar transistor<br>开启电压
%K GaAsSb
%K 双异质结晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7EDE91CD0CEE7601&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=38B194292C032A66&sid=3C6F5C97A07587AE&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7