%0 Journal Article
%T Minority Carrier Lifetime of Thermal Oxide Passivated CZ Si Wafers<br>热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命
%A Cui Can
%A Yang Deren
%A Yu Xuegong
%A Ma Xiangyang
%A Li Liben
%A Que Duanlin
%A <br>崔灿
%A 杨德仁
%A 余学功
%A 马向阳
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 用高频光电导衰减法 (PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响 .在 70 0～ 110 0℃范围热氧化不同时间 (0 .5～ 4 h)对直拉硅片表面进行钝化 ,实验结果表明 ,在 10 0 0℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好 ;而且发现热氧化 1.5 h后硅片的少子寿命值达到最大值 ,接近于其真实值 ,而随着热氧化时间的延长 (>1.5 h)少子寿命将会降低 ,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀 ,成为新的少子复合中心 .
%K Czochralski silicon
%K minority carrier lifetime
%K passivation
%K oxygen precipitates<br>直拉硅
%K 少子寿命
%K 钝化
%K 氧沉淀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EF2333F2F762E736&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=318E4CC20AED4940&eid=11B4E5CC8CDD3201&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=12