%0 Journal Article
%T Design and Implementation of a High-Speed 3bit GaAs Phase ADC for DRFM<br>数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现
%A Zhang Youtao
%A Xia Guanqun
%A Li Fuxiao
%A GAO Jianfeng
%A Yang Naibin
%A <br>张有涛
%A 夏冠群
%A 李拂晓
%A 高建峰
%A 杨乃彬
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器（DRFM）系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试．利用南京电子器件研究所标准GaAs Φ76mm全离子注入工艺，采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC．测试结果表明，该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化，达到1.2Gbps的输出码流速率，其瞬时带宽可达150MHz，具备±0.22LSB的相位精度．
%K phase digitizing
%K ADC
%K MESFET
%K comparator
%K DRFM<br>相位数字化
%K 模数转换器
%K MESFET
%K 比较器
%K 数字射频存储器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=917B1E4E1EA82CF6&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=AFD02B86BFB3C7FC&eid=83F3E1555B654B95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5