%0 Journal Article
%T 几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,
%A 牛国富
%A 阮刚
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文采用能较精确模拟沟道效应的两个Pearson-IV 分布的线性组合来模拟硅中B注入分布,提出了一个基于剂量匹配求解等效厚度的两层结构注入分布修正射程表达式,用该式对B注入 MoSi_2/Si、CoSi_2/Si,P注入CoSi_2/Si 进行了模拟和验证,本文还给出了利用等效厚度概念导出的多层结构注入修正射程递推表达式,并以 Pol_7-Si/SiO_2/Si三层结构为例进行了验证。
%K VLSI
%K 集成电路
%K 离子注入
%K 工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D103EC11BC78428B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=59906B3B2830C2C5&sid=569BDAA4FEA0F7F9&eid=4D1A534FF6CD5D9A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1