%0 Journal Article
%T 电子辐照对硅双极晶体管交流参数的影响
%A 翟冬青
%A 李彦波
%A 李浩
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显减小,特征频率f_T基本不变,而功率增益G_p稍有增加.用多数载流子去除效应讨论了辐照后这些参数的变化和性质.
%K 硅
%K 双极晶体管
%K 电子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CB7B4AB0879EABEE&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=6452E1221020E61F&eid=C4B91B15F1F73E7E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4