%0 Journal Article
%T C掺杂对离子注入合成β- FeSi_2 薄膜的影响
%A 李晓娜
%A 聂冬
%A 董闯
%A 徐雷
%A 张泽
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜 .经透射电镜分析可知 ,引入 C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展 ,晶粒得到细化 ,β- Fe Si2 层稳定性提高 .从微结构角度考虑 ,引入 C离子对于提高β- Fe Si2 薄膜的质量是很有益处的 .进一步进行光学吸收表征 ,发现 C离子的引入对 β- Fe Si2 层的 Egd值没有产生不良影响 .讨论了 Egd值的影响因素 ,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退火温度等等 ,解释了文献报道的不同
%K β-FeSi2
%K 半导体薄膜
%K 金属硅化物
%K 离子注入
%K 透射电子显微镜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FF34FE7BD2612901AEF86FCEDC5B35A&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=59906B3B2830C2C5&sid=5D9E227628843A85&eid=BE34987501BA69F7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0