%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
%A 刘兴权
%A 陆卫
%A 徐文兰
%A 穆耀明
%A 陈效双
%A 马朝晖
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的约束的加强，我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移（ＨＨ１到Ｅ１，ＬＨ１到Ｅ１）．这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释．
%K 砷化镓
%K 镓铝砷化合物
%K 光调制光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7AF4E3793A616DB6&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C5154311167311FE&eid=D3E34374A0D77D7F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0