%0 Journal Article
%T 非晶氮化硅纳米粒子──Ⅱ：电子结构理论研究
%A 左都罗
%A 李道火
%A 夏宇兴
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文研究了连续无规网络模型非晶氨化硅纳米粒子的电子结构．研究表明非晶氨化硅纳米粒子具有量子限制效应：能带分裂，最低电子跃迁能量随尺寸减小增大，是一种非晶量子点．无序度增大使能级增宽，价带顶下降．我们把这些结果和实验进行了比较，并讨论了局域长度与量子限制效应的关系．
%K 电子结构
%K 非晶氮化硅
%K 纳米粒子
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A626B3EA3CFD805485&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=117F81797AB182FC&eid=08805F9252973BA4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4