%0 Journal Article
%T 用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜
%A 黄大定
%A 秦复光
%A 姚振钰
%A 刘志凯
%A 任治璋
%A 林兰英
%A 高维滨
%A 任庆余
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。
%K 氧化铈薄膜
%K 硅
%K IBD
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4BE8E96D3AC0CE7B&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D59111839E7C8BDF&eid=0B4F496D54044D86&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3