%0 Journal Article
%T 氢等离子体对（Pt及其硅化物）／Si界面的杂质／缺陷态和势垒的影响
%A 丁孙安
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 存在于（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能．本文主要讨论氢等离子体对（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的影响．
%K 硅
%K 界面
%K 杂质
%K 氢等离子体
%K 缺隐态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=26BF4E01153F40B5&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4C2B9916B58305BE&eid=965F4E89CD0AFC30&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4