%0 Journal Article
%T Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布
%A 陈开茅
%A 毛晋昌
%A 武兰青
%A 元民华
%A 金泗轩
%A 刘鸿飞
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法［１］，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布．结果表明：界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度，空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态在Ｓｉ禁带下半部的是施主态，而在上半部的是受主态，用ＤＬＴＳ测量的界面态不呈Ｕ型分布，它与准静态Ｃ－Ｖ测量的结果完全不同．
%K 界面态
%K 硅
%K 二氧化硅
%K 能量分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E549C9F7FAA51635279&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=AF507FDD66D991DA&eid=358F98408588E522&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=6