%0 Journal Article
%T 用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵
%A 钱毅
%A 徐俊英
%A 徐遵图
%A 张敬明
%A 肖建伟
%A 陈良惠
%A 王启明
%A 周小川
%A 蒋健
%A 钟战天
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。
%K 量子线阵列
%K 分子束外延
%K 量子器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ACC05C7EA836088D&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=522844664D9E629A&eid=3389C664025A98F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2