%0 Journal Article
%T Nonlucky Electron Model Effect in Ultra-Deep Submicro LDD nMOSFETs<br>超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
%A Yang Linan
%A Yu Chunli
%A Hao Yue
%A <br>杨林安
%A 于春利
%A 郝跃
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0.18μm，Tox=3.2nm）在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子（DAHC）应力下的器件寿命要短，这与通常认为的DAHC应力（最大衬底电流应力）下器件退化最严重的理论不一致．因此，这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型（LEM）的框架理论来解释．认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子，在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域，由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的．
%K LDD nMOSFET
%K hot carrier degradation
%K channel hot carrier stress
%K drain avalanche hot carrier stress
%K lucky electron model<br>LDD
%K nMOSFET
%K 热载流子退化
%K 沟道热载流子应力
%K 漏雪崩热载流子应力
%K 幸运电子模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=84ED8953056B2147&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=1194166861DF0923&eid=98973A2DBA64FAC9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13