%0 Journal Article
%T Irradiation Hardened Performance of CMOS Devices with Modified Thin SOS Film<br>改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
%A Liu Zhongli
%A Li Ning
%A Gao Jiantou
%A Yu Fang
%A <br>刘忠立
%A 李宁
%A 高见头
%A 于芳
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路．测量了单管的迁移率，并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验，发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路，不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性，而且具有很好的抗瞬态辐射能力，并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平．
%K solid phase epitaxy
%K modification
%K SOS thin silicon film
%K CMOS devices<br>固相外延
%K 改性
%K SOS薄硅膜
%K CMOS器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=58F0C0D602BDBBE0&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=1D9D6C66A0E73D63&eid=0F1312EB98113CF7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4