%0 Journal Article
%T Growth of Ge Quantum Dots on Vicinal Si(001) Substrate by Solid Phase Epitaxy<br>Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长
%A Hu Dongzhi
%A Zhao Dengtao
%A Jiang Weirong
%A Shi Bin
%A Gu Xiaoxiao
%A Zhang Xiangjiu
%A Jiang Zuimin
%A <br>胡冬枝
%A 赵登涛
%A 蒋伟荣
%A 施斌
%A 顾骁骁
%A 张翔九
%A 蒋最敏
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 研究了 Si(0 0 1)面偏 110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长的临界厚度 ,6°斜切衬底上淀积 0 .7nm Ge即可成岛 ,少于 Si(0 0 1)衬底片上 Ge成岛所需的淀积量 .从 Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线 ,得到 Ge量子点的激活能为 1.9e V,远高于 Si(111)面上固相外延 Ge量子点的激活能 0 .3e V.实验亦发现 ,在 Si(0 0 1)斜切衬底上固相外延生长的 Ge量子点较 Si(0 0 1)衬底上形
%K quantum dots
%K Ge
%K solid phase epitaxy<br>量子点
%K Ge
%K 固相外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A0CF433EE710A69&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=1A0C7C60D40EFD74&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6