%0 Journal Article
%T Growth and Property of Surface Stress Induced InGaN Quantum Dots<br>表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质
%A Li Yufeng
%A Han Peide
%A Chen Zhen
%A Li Dabing
%A Wang Zhanguo
%A <br>李昱峰
%A 韩培德
%A 陈振
%A 黎大兵
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 .
%K InGaN
%K Quantum Dots
%K MOCVD<br>InGaN
%K 量子点
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EBDABCE0B5348729&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7C3A4C1EE6A45749&eid=BE33CC7147FEFCA4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=14