%0 Journal Article
%T 利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)
%A 杨洪强
%A 韩磊
%A 陈星弼
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断过程中 ,p MOSFET将被开启 ,作为阳极短路结构起作用 ,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失 ,IGBT快速关断 .而且由于电场受到电阻场板的影响 ,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区 ,几乎消去了普通SOI LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段 .这两个因素使得新结构的关断时间大大减少 .在IGBT的开启状态 ,由于p MOSFET不导通 ,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致 .模拟结果表明 ,新结构至少能增加 2 5 %的耐压
%K 电阻场板
%K 动态控制阳极短路
%K 关断时间
%K 击穿电压
%K 正向导通压降
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BD060408F3A05FC75C86360C23B8D45F&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=512771C17A2FFC1B&eid=5E7C14876566242F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0