%0 Journal Article
%T Characteristics of Semi-Insulating 4H-SiC Layers by Vanadium Ion Implantation<br>钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究
%A Wang Chao
%A Zhang Yuming
%A Zhang Yimen
%A <br>王超
%A 张玉明
%A 张义门
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟.采用一种台面结构进行I-V测试,发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系.常温下,钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1.6×1010和7.6×106Ω·cm.测量了不同退火温度下的电阻率,发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率,由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降.测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的电阻率,计算出钒受主能级在4H-SiC中的激活能为0.78eV.
%K SiC
%K semi-insulating
%K vanadium ion implantation
%K annealing
%K activation energy<br>碳化硅
%K 半绝缘
%K 钒离子注入
%K 退火
%K 激活能
%K 注入层
%K 绝缘特性
%K 研究
%K Ion
%K Implantation
%K Vanadium
%K Layers
%K 激活能为
%K 计算
%K 高温退火
%K 影响
%K 扩散
%K 高电阻率
%K 退火温度
%K 测量
%K 关系
%K 导电类型
%K 发现
%K 测试
%K 结构
%K 模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FEA275215EA12746&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D3EC5D34434DACC5&eid=14475B1A66930D94&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=14